nand芯片排名

1 三星电子(Samsung)

由于服务器需求回温以及不同应用端采用高容量产品呈明显成长，加上移动设备客户转单效应，三星第二季位元销售成长约30%。随着需求表现转趋正面，平均销售单价跌幅收敛至15%的水平，第二季营收达37.66亿美元，较第一季成长16.6%。

从产能分析，今年以来三星的产能规划无太大改变，在产能缩减部分皆以Line12的平面制程为主，以反映客户需求持续转进V-NAND，缩减后的空间则用于R&D，至于3D NAND的部分，在无刻意或人为减产情况下，整体投片规模与第一季相当。

2 SK海力士(SK Hynix)

SK海力士的营运表现依然与移动设备市场销售状况高度连动，受惠于价格弹性引领平均搭载容量迅速成长，以及部分中国客户转单，第二季位元出货成长达到40%，但由于平均售价仍有25%的显著跌幅，本季SK海力士NAND Flash营收为11.06亿美元，季成长8.1%。

DRAM和NAND芯片是指什么

DRAM和NAND芯片都是指存储芯片，常用于电子设备中。

DRAM是动态随机存储器（Dynamic Random Access Memory）的缩写，是一种常用的内存芯片。DRAM能够快速读写数据，是电脑、智能手机等电子产品中使用最广泛的存储器件之一。DRAM存储单元采用电容来存储电荷，需要经常对数据进行“刷新”以维持电荷，容易受到电气干扰和外界环境等因素的影响。

NAND芯片是一种非易失性存储器件，能够在断电后仍能保持存储的数据不丢失。NAND芯片中的存储单元是通过电子浮动门存储电荷，因此比DRAM具有更高的密度和更高的读/写速度。NAND芯片常用于SD卡、固态硬盘、U盘、闪存和移动设备中。

总之，DRAM和NAND芯片都是不同类型的存储器件，在不同的场合中被广泛应用。

长江存储第四代闪存芯片几纳米

14nm。

长江存储的3D NAND闪存芯片工艺制程已经迈向14nm级别。

闪存颗粒并不像手机芯片那样，对纳米工艺要求那么高。3D flash的堆叠层数和存储密度更为重要，相反更大的制程，耐久度更高。flash本来就是消耗品，使用寿命是非常重要的。所以20nm制程足够了。

nand和dram芯片区别

nand芯片与dram芯片它们的区别在于架构不同

nand芯片是一款高度集成的南桥芯片，增加了对AC97、MC97支持，并且集成I/O控制器与硬件。

dram芯片是一种将电路（主要包括半导体设备，也包括被动组件等）小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上