如何读取芯片程序

读取芯片程序步骤：

1、首先打开ccs3.3软件。

2、给主控机箱上电,主控插件指示灯亮起。

3、按下“ALT+C”按键,建立ccs3.3软件和芯片间的联系，然后即可读取

1/6 分步阅读

点击打开Tasklink

2/6

在以上主菜单中选择Task-Task/Kit manager, 再点击右侧的add按钮以增加一个新任务，然后在弹出的对话框内为任务命名，列如：XXX READ。

3/6

在Primary框中选择要读取芯片的名称，列如：H8BCS0UN0MCR。

选择的时候在show选项框中选择All devices.

4/6

在Data标签中,选择”MASTER DEVICE”，此项功能是用于芯片内容读取的，右边有显示：First job run，表示第一次在FlashPAK上运行任务时读取，即每次只能读取一次（第二次操作则是将第一次读取出来的数据作为母片来烧录后续的芯片）；如需再读取则需要再重新建立一个任务卡。

5/6

nand芯片排名

1 三星电子(Samsung)

由于服务器需求回温以及不同应用端采用高容量产品呈明显成长，加上移动设备客户转单效应，三星第二季位元销售成长约30%。随着需求表现转趋正面，平均销售单价跌幅收敛至15%的水平，第二季营收达37.66亿美元，较第一季成长16.6%。

从产能分析，今年以来三星的产能规划无太大改变，在产能缩减部分皆以Line12的平面制程为主，以反映客户需求持续转进V-NAND，缩减后的空间则用于R&D，至于3D NAND的部分，在无刻意或人为减产情况下，整体投片规模与第一季相当。

2 SK海力士(SK Hynix)

SK海力士的营运表现依然与移动设备市场销售状况高度连动，受惠于价格弹性引领平均搭载容量迅速成长，以及部分中国客户转单，第二季位元出货成长达到40%，但由于平均售价仍有25%的显著跌幅，本季SK海力士NAND Flash营收为11.06亿美元，季成长8.1%。

长江存储第四代闪存芯片几纳米

14nm。

长江存储的3D NAND闪存芯片工艺制程已经迈向14nm级别。

闪存颗粒并不像手机芯片那样，对纳米工艺要求那么高。3D flash的堆叠层数和存储密度更为重要，相反更大的制程，耐久度更高。flash本来就是消耗品，使用寿命是非常重要的。所以20nm制程足够了。

国内持有芯片最多的上市公司

1，同方国芯——NAND 闪存 技术；持有51%股权西安华芯，其拥有华芯自主品牌大容量 DRAM 存储器产品；

2，国民技术——射频芯片；移动支付 限域通信 RCC 技术；

3，景嘉微——军用GPU（JM5400 型图形芯片）；

4，全志科技——A 股唯一一家独立自主IP 核芯片设计公司（类似巨头ARM）；

5，艾派克——通用打印耗材芯片